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0512-57792815據韓國媒體報道,三星DDR6內存已經投入研發,并預計在2024年之前完成設計。
報道稱,三星負責測試和系統封裝(TSP)的副總裁在韓國水原的一次研討會上透露,隨著未來內存本身性能的擴大,封裝技術也需要不斷發展。該公司證實,它已經處于下一代DDR6內存的早期開發階段,將采用MSAP(改良半加成法)封裝技術。
根據三星的說法,MSAP已經被其競爭對手(SK海力士和美光)用于DDR5。
那么,MSAP有什么新特點呢?
據介紹,MSAP修正后的半加成工藝允許DRAM制造商創建具有更精細電路的內存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上涂抹電路圖案來實現的,這樣可以實現更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內存不僅將利用MSAP來加強電路連接,而且還將適應DDR6內存中增加的層數。
三星預計,其DDR6設計將在2024年之前完成,但預計2025年之后才會有商業使用的可能。就規格而言,DDR6內存將是現有DDR5內存的兩倍,傳輸速度可達12800Mbps(JEDEC),超頻后的速度可超過17000Mbps。
目前,三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200Mbps,在JEDEC標準下提高了1.7倍,在下一代內存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。
注:網站部分數據來源于鴻博斯特集團
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